规格书 |
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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
电压 - 直流反向(VR)(最大值) | 1200V (1.2kV) |
电流 - 平均整流(Io) | 14A |
电压 - 正向(Vf)(最大)@ | 1.8V @ 10A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
电流 - 反向漏VR | 250µA @ 1200V |
电容@ Vr,F | 754pF @ 0V, 1MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252-2 |
包装材料 | Tube |
封装 | Tube |
电流 - Vr时反向漏电 | 250µA @ 1200V |
安装类型 | Surface Mount |
电压 - 正向(Vf) (最大) | 1.8V @ 10A |
电压 - ( Vr)(最大) | 1200V (1.2kV) |
热阻 | 0.88°C/W Jc |
电容@ Vr ,F | 754pF @ 0V, 1MHz |
供应商设备封装 | TO-252-2 |
反向恢复时间(trr ) | 0ns |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
标准包装 | 75 |
电流 - 平均整流(Io ) | 14A |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
最大二极管电容 | 754 pF |
正向电压下降 | 1.8 V |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
最大功率耗散 | 136 W |
正向连续电流 | 10 A |
最大反向漏泄电流 | 250 uA |
峰值反向电压 | 1.2 kV |
安装风格 | SMD/SMT |
最大浪涌电流 | 71 A |
封装/外壳 | TO-252-2 |
工厂包装数量 | 75 |
配置 | Single |
RoHS | RoHS Compliant |
二极管配置 | :Single |
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max | :1.2kV |
Forward Current If(AV) | :16A |
Forward Voltage VF Max | :1.8V |
Forward Surge Current Ifsm Max | :71A |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Diode Case Style | :TO-252 |
No. of Pins | :2 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
Weight (kg) | 0.000453 |
Tariff No. | 85411000 |
associated | 249G 573100D00000G |
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